ข้อมูลจากบทคัดย่อ
ยังไม่มีสรุปภาษาไทยสำหรับระเบียนนี้
ด้านล่างเป็นบทคัดย่อต้นฉบับภาษาอังกฤษจากข้อมูลบรรณานุกรม โปรดตรวจบทความต้นฉบับก่อนอ้างอิง
This work demonstrates that the As2Se3-on-CaF2 waveguide can enable optical integration with three distinct mid-infrared (mid-IR) light sources on silicon emitting at wavelengths of 3.6, 4.8, and 7.4 μm, while sustaining a competitive waveguide-based sensing figure of merit within a mid-IR spectral range of 3–8 µm. Despite considerable variations in lasing optical mode sizes and polarizations from three different laser chips, the As2Se3-on-CaF2 waveguide can facilitate efficient butt-coupling with each source while maintaining the same As2Se3 waveguide thickness. This permits the implementation of As2Se3-on-CaF2 waveguides, in which the waveguide width can be tailored to achieve both competitive optical coupling performance with the light sources and a high sensing figure of merit across the entire wavelength range of interest. This work demonstrates the attractiveness of the chalcogenide As2Se3-on-CaF2 waveguide in terms of design flexibility for chip-scale optical integration in the important mid-IR wavelength ranges.
เหตุผลที่อยู่ในฐานติดตาม
ระเบียนนี้ได้รับ Impact Signal 74/100 จากความใหม่ แหล่งเผยแพร่ ความร่วมมือ และสัญญาณในข้อมูลบรรณานุกรม คะแนนนี้ใช้จัดลำดับการติดตาม ไม่ใช่การตัดสินคุณภาพงานวิจัย
ประเด็นที่เกี่ยวข้อง: Photonic and Optical Devices · Plasmonic and Surface Plasmon Research · Phase-change materials and chalcogenides
บทบาทของนักวิจัยและสถาบันไทย
Saranisorn Srikam · Pichet Limsuwan · Papichaya Chaisakul · Kasetsart University · King Mongkut's University of Technology Thonburi · King Mongkut's Institute of Technology Ladkrabang
ข้อจำกัดของข้อมูล
หน้านี้เป็นระเบียนบรรณานุกรมและข้อมูลจากบทคัดย่อ ยังไม่ใช่บทวิเคราะห์ฉบับเต็มหรือการประเมินคุณภาพงานวิจัย ควรตรวจสอบ DOI และเอกสารต้นฉบับก่อนนำไปอ้างอิง